韩国将设立5万亿韩元半导体专项基金，重点投资材料、零部件及无晶圆厂企业

8月10日，韩国总统秘书室室长姜勋植表示，韩国将设立一项规模5万亿韩元（约合35.2亿美元）的半导体专项基金，重点投资于有前景的芯片材料、零部件以及无晶圆厂企业，这是政府建设半导体产业集群计划的一部分。除半导体基金外，姜勋植还宣布，政府将同时提供5万亿韩元的贸易融资以支持出口型供应商，并力争年内推动《超大型特殊产业园区法》通过，以加快相关区域的许可审批、环境评估和基础设施建设。

消息称Amkor考虑出售中国大陆业务部分股权，估值或达10-15亿美元

据彭博社报道，半导体OSAT企业安靠（Amkor）正在考虑出售其中国业务部分股权。该公司正与顾问合作，对分拆中国大陆业务并出售股份的可能进行初步探索。知情人士称，安靠可能保留该业务的少数股权，此项中国业务的整体估值可能在10-15亿美元之间。安靠于2001年7月在中国上海设立半导体封装工厂，并于2004年5月收购IBM在中国上海的第二大半导体工厂，此后又于2016年6月在中国开设MEMS封装生产线。截至目前，安靠尚未就上述事项作出最终决定，相关讨论仍在初步阶段。知情人士表示，亚洲投资机构和行业参与者可能会对这些资产感兴趣。

英伟达联合华尔街六大机构搭建5000亿美元算力融资平台，推动AI基础设施资产化

8月11日，英伟达宣布与Apollo、贝莱德、黑石、Brookfield、高盛及KKR六家全球顶级金融机构达成谅解备忘录，共同搭建一个独立的算力融资平台，目标是逐步撬动超过5000亿美元的第三方资本，投向AI基础设施建设。该平台旨在将英伟达的算力和全栈AI基础设施转化为全球资本可投资的资产类别——算力能带来更低的单位token成本、更高的收入，使用寿命更长，加上CUDA生态背后庞大的承购方网络，使“算力”具备了类似基础设施的投资属性。通过该平台，英伟达希望以有吸引力的利率为客户建立专项资金池，让前沿AI实验室、企业、政府和云服务商更易获取英伟达基础设施，同时为大型资管机构提供周期更长、与实际用量挂钩的投资机会。英伟达CEO黄仁勋将此形容为公司从“造芯片”到推动打造“AI工厂”这一可投资生产性基础设施的重要节点。目前合作仍需签署最终协议方可生效，英伟达未披露具体财务条款及各机构的投资承诺规模。

台积电CoWoS良率突破99%，5.5倍光罩尺寸已量产、2029年推进至14倍

8月11日，台积电先进封装技术暨服务副总经理何军在OCP亚太峰会主题演讲中表示，随着AI对算力需求持续攀升，3D IC、CoWoS及SoIC等先进封装技术正快速升级。台积电5.5倍光罩尺寸的CoWoS已实现量产，良率稳定超过98%，部分产品甚至达到99%。何军透露，台积电将保持每年推出新一代CoWoS技术的节奏，预计到2029年进一步推进至14倍光罩尺寸。在SoIC混合键合技术方面，目前6微米混合键合间距已进入高量产，预计2029年进一步缩小到4.5微米，并具备A14堆叠A14的能力。何军强调，未来AI先进封装的发展不只是单一公司的技术竞赛，而是芯片、封装、材料、设备与系统集成整个生态的共同协作。

年产10亿只半导体引线框架项目签约落地新区，瑞科华芯加速关键材料国产替代

8月11日，由上海瑞科华芯科技有限公司投资的年产10亿只半导体引线框架项目正式签约落地南太湖新区。项目将分三期建设，前两期主要聚焦蚀刻型引线框架业务，一期计划于2027年快速投产，年产10亿只，产值目标2亿元；二期通过自建厂房扩容后，年产量将提升至40亿只，产值达8亿元。后期还将布局OLED新型显示相关领域。引线框架是半导体封装环节的核心结构材料，起到芯片与外部电路电气连接、散热及机械支撑等关键作用，其性能直接影响封装的可靠性与信号完整性。随着国内半导体封装产能持续扩张，高端蚀刻型引线框架的国产替代需求日益迫切。瑞科华芯此次大规模投建，有望为国内先进封装产业链提供关键材料支撑，降低对进口材料的依赖。

Counterpoint：长江存储Q2 NAND出货量首度跻身全球第三，14%份额超越铠侠市场研究机构

Counterpoint Research 8月12日发布的数据显示，2026年第二季度，长江存储NAND闪存出货量以14%的市场份额首次攀升至全球第三位，以微弱优势超越铠侠。三星以25%的份额保持领先，SK海力士以22%位居第二，美光排名第五。长江存储出货量同比增长22%、环比增长5%。这一突破得益于AI工作负载从训练向推理的迁移——2026年第二季度，企业级SSD已占全球NAND出货容量的48%，较去年同期的26%接近翻倍。不过，出货量规模尚未完全转化为营收。由于长江存储产品结构仍集中于消费级应用，高单价的数据中心企业级SSD占比较低，其第二季度营收位列第五，仍落后于美光和铠侠。Counterpoint表示，长江存储已实现267层3D NAND闪存量产，并推进基于Xtacking架构的300层以上技术研发。公司计划下半年进一步向企业级SSD倾斜产品结构，以巩固全球第三的位置。Counterpoint预计，到今年底服务器eSSD将吸收超过50%的NAND出货容量。

源杰技拟投资43亿元建设半导体科技产业园，扩大高端激光器芯片生产规模

8月11日，源杰科技公告称，公司拟投资建设源杰半导体科技产业园项目，投资总额约42.68亿元（含土地出让金）。项目拟在陕西省西咸新区沣西新城建设包含激光器芯片生产线、生产厂房及配套设施等产业化基地，旨在突破产能瓶颈，扩大高端激光器芯片生产规模。项目占地约126亩，建设周期预计为24个月。目前该事项已通过公司董事会审议，尚需提交股东会审议，并需办理用地、备案、环评等前置审批手续。项目建成后，将有助于公司把握市场增长机遇，满足客户在数据中心建设等领域持续提升的产品需求，增强订单交付的稳定性与响应速度。公开资料显示，源杰科技是国内采用IDM垂直整合制造模式的光芯片企业，覆盖从芯片设计、外延生长到晶圆制造、封装测试的全产业链条。