01

企业动态（6月23日）

拆分芯片团队独立造芯，快手垂直算力自研实现商业化突破

近日，快手拆分内部芯片事业部成立凌川科技完成数亿元A+轮融资，标志其自研造芯业务全面走向独立市场化运营。凌川科技2024年3月正式独立，由快手联合北京AI基金控股，专注视频与多模态大模型专用算力芯片研发。旗下成熟产品SL200累计出货近十万颗，覆盖快手99.7%直播转码业务，支撑平台7亿用户视频流转，同时对外供货阿里云、百度云、B站等企业。该芯片连续三年拿下国际视频编码赛事冠军，压缩效率优于英伟达同类方案，算力能耗降低三成。新一代全国产3D堆叠芯片已于4月完成流片，本轮融资将用于新品迭代、现有芯片扩产及海外市场拓展。依托互联网场景优势，凌川同步推出加速卡、算力一体机等硬件方案，落地智算、安防、车载多场景，成为国内垂直视频算力赛道核心国产供应商。

点评：快手独立造芯是互联网平台算力自主化的典型缩影，与阿里平头哥、百度昆仑芯路径趋同，印证大厂自研专用芯片已成行业必然选择。过去短视频、直播平台高度依赖海外通用GPU，采购与运维成本居高不下，同时存在算力供给约束风险，自研ASIC芯片可深度贴合视频转码、AI推理专属需求，实现降本与自主可控双重目标。不同于通用大算力芯片赛道的激烈内卷，凌川深耕视频垂直领域，以真实业务场景反向定义芯片架构，形成差异化竞争壁垒。从内部自用走向对外商用，也打开互联网芯片企业盈利空间，推动国产算力软硬件生态协同完善。快手独立造芯将带动上下游流片、封装、服务器产业链需求释放，加速国内多模态算力底层装备国产化进程。

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企业动态（6月24日）

SK海力士龙仁晶圆厂投产大幅提前10年：HBM产能“军备竞赛”进入加速跑

韩国相关部门确认SK海力士龙仁半导体集群第四座晶圆厂完工时间从2044年大幅提前至2034年，整整压缩10年。龙仁集群规划建设四座晶圆厂，是韩国近年来最大的半导体投资计划。此前，SK海力士已将该集群首座工厂的投产时间提前至2027年2月，较原计划提早三个月。据The Elec报道，SK海力士已向核心供应商披露DRAM产能翻倍计划——从当前月产约55万片提升至2030年的100万片，扩产高度集中于龙仁集群，仅一期工厂就能在2030年上半年新增月产36万片产能。

三星电子同步推进龙仁新集群建设，两家韩国巨头同时加速扩产，核心驱动力唯有一个——HBM需求的爆发式增长。SK海力士目前占据全球HBM市场超50%份额，但产能仍无法满足AI算力扩张需求。花旗预计2026年全球DRAM市场供给缺口约5%，主要集中在HBM领域。瑞银指出，部分客户已向设备供应商提供8个季度需求能见度，设备端景气周期远超预期。此前市场对SK海力士扩产已有预期，但此次10年压缩幅度远超行业判断。

点评：SK海力士将第四工厂投产大幅提前10年，标志着全球存储龙头的扩产节奏已从“按部就班”切换至“全力冲刺”。这一决策绝非盲目——当前HBM供需缺口高达40%-50%，三大原厂2026年HBM产能已全部售罄。在AI大模型训练需求是传统计算5-10倍的刚性驱动下，HBM已从“可选配件”变为决定AI算力能否释放的“氧气瓶”。

此番扩产是全球AI算力“军备竞赛”从GPU芯片向存储底层延伸的必然结果。龙仁集群作为SK海力士未来的产能核心，首厂将率先导入EUV光刻机、TSV硅通孔及先进封装产线，重点攻关HBM4及后续世代产品。扩产有利于缓解HBM供给瓶颈，但洁净室建设、设备交付、良率爬坡等物理约束决定了2-3年内新增有效供给极为有限。

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市场动态（6月25日）

全球模拟芯片"涨价风暴"：龙头三度提价，产业链供需重构

2026年以来，全球模拟芯片市场掀起新一轮涨价潮，龙头厂商密集提价，涨幅持续扩大。德州仪器（TI）于2026年5月8日发出第三轮涨价通知，宣布自7月1日起对产品价格全面调整，部分数字隔离器、隔离驱动芯片及电源管理IC涨幅高达15%-85%。 此前，TI已分别在2025年8月（涨幅10%-30%）和2026年4月（涨幅15%-85%）完成两轮调价。全球第二大模拟芯片厂商亚德诺（ADI）亦于2026年2月1日起对全系列产品实施价格调整，普通商用级产品涨幅10%-15%，工业级约15%，军规级产品涨幅高达30%。 恩智浦（NXP）同样宣布自6月1日起调价，理由为原材料、能源、劳动力及物流等通胀性成本压力。

此轮涨价并非孤立事件，而是成熟制程产能结构性收缩与下游需求回暖共振的结果。集邦咨询数据显示，台积电、三星持续缩减8英寸成熟制程产能，2026年全球8英寸产能预计同比下降2.4%，利用率已回升至近90%。 与此同时，AI数据中心建设带动电源管理IC、信号链产品需求激增，工业与汽车领域库存已回归合理水平，下游补库需求强劲。TI 2026年Q1模拟芯片业务营收同比增长22%，NXP工业与物联网业务增长24%，均超市场预期。

点评：本轮模拟芯片涨价潮标志着行业周期从"去库存"正式转向"供需紧平衡"，其深层逻辑远超简单的成本传导。涨价由三重力量共同驱动：1）上游8英寸晶圆产能持续收缩，台积电、三星将资源向先进制程与AI芯片倾斜，导致模拟芯片赖以生存的成熟制程供给受限；2）AI算力爆发拉动电源管理、信号链等模拟器件需求，单车/单服务器模拟芯片价值量显著提升；3）金银铜等原材料价格攀升，叠加全球能源与物流成本上涨，形成"成本推动+需求拉动"的双轮驱动格局。

TI、ADI等海外龙头的连续提价，实质是定价策略的结构性转变——从过去四年以价换量的"份额保卫战"，转向以盈利能力为核心的价值回归。这一转变为中国模拟芯片厂商创造了三重机遇：1）价格红利，海外大厂涨价后，国产厂商顺势跟进，快速修复毛利率；2）订单转移，海外芯片交期延长，下游汽车、工控、算力客户加速导入国产方案；3）国产替代窗口，当前模拟芯片国产化率约20%-30%，电源管理领域已达50%，但在高精度信号链、数据转换等高端领域仍依赖进口，本轮涨价为技术领先的国产厂商提供了渗透契机。

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企业动态（6月26日）

安森美近70亿美元全股票收购Synaptics，剑指“物理人工智能”新战场

安森美官宣以 70 亿美元全股票方式收购 Synaptics，为其史上最大并购。交易采用换股模式，每股 Synaptics 股票可兑换 1.35 股安森美普通股，较标的十日均价溢价 19%，交易完成后 Synaptics 股东持股约 12%，预计 2027 年年中落地，尚需股东及多国监管审批。收购意在布局物理 AI 赛道，整合 Synaptics 边缘 AI 处理器、无线连接与人机交互产品线，叠加安森美传感、功率器件优势，打通感知、互联、计算全链条，预计 2030 年潜在市场规模新增 300 亿美元至 2430 亿美元。财务层面预期交割 18 个月后抬升每股收益，每年产生 2 亿美元协同效应。消息公布后安森美盘后股价下跌约 6%，同期全球科技企业纷纷并购补强 AI 软硬件能力，行业整合提速。

点评：本次收购是全球功率半导体厂商加码边缘物理 AI 的标志性动作，反映行业竞争重心从云端算力转向车载、工业机器人等终端智能系统。安森美凭借本次并购补齐边缘计算、无线互联短板，实现功率、传感、AI 算力一体化布局，打造差异化系统解决方案，顺应 AI 下沉实体硬件的产业趋势。当前高通、TI、意法等同行同步加速相关赛道并购整合，行业进入集中整合周期。但交易存在多重不确定性，全股票收购稀释原有股东权益，两家企业客户、产品体系整合难度较高，叠加长达一年多的审批周期，短期难以兑现协同价值。同时市场用股价下跌表达对高额并购成本的担忧。对国内厂商而言，海外巨头通过并购快速完善全栈能力，倒逼本土功率、边缘 AI 芯片企业加快产品协同与产业链整合，打造国产物理 AI 软硬件一体化竞争力。

05

市场动态（6月22日）

114.48 亿元增资落地，国产 300mm 硅片扩产提速

近日，沪硅产业发布公告，联合大股东上海国盛集团向核心子公司上海新昇合计增资 114.48 亿元，资金全部投向 12 英寸高端半导体硅片产能升级项目，本次百亿级增资正式落地执行。

本次增资分为两大出资渠道，上市公司以旗下三家硅片业务主体股权作价 74.48 亿元入股，国盛集团配套 40 亿元现金出资，增资完成后上海新昇注册资本大幅扩充，公司仍保持绝对控股地位。上海新昇是国内 300mm 硅片量产核心载体，当前月产能 85 万片，依托本次资金将同步扩建上海、太原两大生产基地，扩充抛光片、外延片产线规模。

当前全球高端大硅片市场长期被海外巨头垄断，国内晶圆厂供给缺口显著，AI 算力、车载芯片持续拉动 12 英寸硅片需求上行。此次大额增资将加速国产硅片工艺迭代与客户认证，持续提升本土材料自给率，带动单晶炉、高纯耗材上下游协同国产化，夯实国内集成电路上游供应链安全底座，进一步缩小与国际龙头产能、技术差距。

06

企业动态（6月25日）

国产纳米压印光刻机正式交付，核心性能全面超越佳能同类设备

近期，璞璘科技自主研发的 PL-AS 真空气压式晶圆级纳米压印光刻机完成商业交付，落地深圳光芯片产线并通过 8 英寸晶圆规模化量产验证，标志我国打破日本长期垄断，在纳米压印光刻赛道实现技术反超。

纳米压印是光芯片、激光雷达核心图形化装备，此前全球量产设备市场由佳能独家把控。本次国产设备采用全域真空气压面压架构，与佳能步进式小块压印方案形成代差优势：国产机型分辨率可达 10nm 以内，优于佳能设备 14nm 极限；整片晶圆压力均匀误差低于 0.5%，残余层厚度偏差控制 2nm 内，规避佳能分次压印带来的对位误差、良率损耗问题。

量产效率层面，国产设备单次完成整片晶圆压印，产能较佳能机型提升超一倍；整套工艺绕开 DUV 深紫外光刻，光芯片制造成本仅为传统光学方案十分之一，设备运维、耗材开销大幅降低。整套设备、光刻胶、模板工艺实现全国产自主可控，适配硅光、OPA 车载雷达芯片批量生产。

业内分析指出，该设备落地补齐国内微纳制造装备短板，走出差异化突围路线，既能缓解高端光学光刻机供给约束，也将加速国内高速光模块、车载光传感产业链降本提速，在全球纳米压印市场形成与佳能直接竞争的国产方案。

07

企业动态（6月25日）

长鑫存储Q1营收暴增719%，SemiAnalysis预计2026年底超越美光跃居全球第三

美国半导体分析机构SemiAnalysis发布深度报告指出，中国DRAM龙头长鑫存储有望在2026年底超越美光，成为全球第三大DRAM供应商。长鑫存储2026年第一季度营收达508亿元人民币，同比增长719.13%，SemiAnalysis预计全年营收将突破500亿美元。盈利能力同样惊人，一季度利润率约70%，而2025年其首次实现年度盈利，净利润达18.75亿元，毛利率为41.02%。产能方面，长鑫存储预计2026年底月产能达35万片12英寸等效晶圆，到2028年增至50万片，全球DRAM市场份额将从2025年的11%提升至约17%。Counterpoint Research同日数据显示，长鑫DRAM市场份额已从去年3%升至今年一季度8%，整体DRAM市场规模环比增长80%，同比增长260%。

目前长鑫最大短板在HBM领域，产能仅约5000片/月，HBM3 8-hi量产面临良率挑战。但SemiAnalysis预计，到2028年长鑫HBM晶圆产能将达每月10万片，占全球12%。长鑫存储计划通过科创板IPO募集295亿元，约70%用于晶圆制造扩张和DRAM技术升级。