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市场动态（03月31日）

又一大国，成功自研光刻机

近日，位于莫斯科的泽列诺格勒纳米技术中心（Zelenograd Nanotechnology Center）宣布，俄罗斯第一台350nm光刻机已经完成开发，并做好了批量生产的准备。这一成果标志着俄罗斯在半导体制造领域迈出了重要一步，实现了关键设备的自主化生产。此外，该中心正在根据第二份国家合同推进130nm光刻机的开发工作，预计将在2026年完成。俄罗斯的这一系列进展，显示出其在半导体技术自主可控方面的坚定决心和显著成果。

俄罗斯的350nm光刻机采用了固态激光器作为光源，与传统的汞灯光源相比，固态激光器具有功率大、能效高、寿命长、光谱更窄等显著优势。此外，该光刻机的工作区域面积达到了22×22毫米，最大可加工直径为200毫米的晶圆。这些技术创新为俄罗斯光刻机赋予了独特的技术竞争力。

尽管350nm制程相对成熟，但其仍能满足部分汽车、能源和通信行业的芯片需求。俄罗斯计划通过自主开发光刻机，逐步减少对进口设备的依赖，增强其在全球半导体产业链中的地位。此外，俄罗斯还计划到2027年实现28nm本地芯片制造，到2030年达到14nm本地芯片制造。

点评：俄罗斯泽列诺格勒纳米技术中心完成350nm光刻机的开发并准备批量生产，是其在半导体领域自主可控战略的重要成果。这一突破不仅有助于俄罗斯减少对进口设备的依赖，增强其在全球半导体产业链中的地位，还为全球半导体产业的多元化发展提供了新的动力。从技术角度来看，俄罗斯采用固态激光器作为光源的创新，为光刻机技术的发展提供了新的思路。然而，俄罗斯光刻机的市场推广仍面临诸多挑战，包括技术成熟度、市场接受度以及与现有产业链的兼容性等问题。

02

企业动态（03月31日）

台积电2nm产能大跃进：高雄厂提前量产，客户订单排至2027年

3月31日，台积电在高雄楠梓科学园区举行了2nm扩产典礼，宣告其在先进制程技术上的重大突破。根据最新消息，台积电的2nm工艺制程进展顺利，预计将在2025年下半年正式进入全面量产阶段。其中，高雄厂的建设进度超出预期，有望提前实现量产。此外，台积电2nm工艺的客户订单已经排至2027年，显示出市场对该技术的强烈需求。

台积电的2nm制程技术采用了纳米片（Nanosheet）晶体管结构，相较于现行的FinFET结构，具备更高的性能和更低的功耗。根据台积电公布的数据，2nm制程在相同功耗下速度可提升10%至15%，在相同速度下功耗可降低25%至30%，晶体管密度增加逾15%。这一技术突破将满足市场对AI、5G及高性能计算（HPC）等高性能、低功耗领域的需求。

在产能方面，台积电的2nm生产基地包括新竹宝山厂和高雄厂。其中，宝山厂预计将在2025年下半年率先量产，而高雄厂的量产计划也提前至2025年内。两大工厂的月产能预计将攀升至5万片晶圆，最大设计产能可达8万片。高雄厂后续还有3-5期的扩建计划，总投资额将达新台币1.5万亿元。

尽管2nm工艺尚未正式量产，但市场需求已经非常强劲。包括苹果、AMD、英特尔在内的众多科技巨头已经与台积电接洽，预计将在消费型产品上陆续导入2nm工艺。据供应链消息，台积电的2nm订单已经排至2027年以后。此外，台积电还计划在2025年内为英特尔提供2nm投片服务。

点评：台积电2nm工艺的提前量产和产能大跃进，不仅是其自身技术实力的体现，也反映了全球半导体市场对先进制程的强烈需求。2nm工艺的高性能和低功耗特性使其在AI、5G和高性能计算等新兴领域具有巨大的应用潜力，这将进一步巩固台积电在全球半导体市场的领先地位。

从市场角度来看，客户订单排至2027年表明2nm工艺的市场需求远超预期。这不仅为台积电带来了可观的营收增长，也为相关产业链的发展提供了强大动力。然而，这也可能加剧半导体行业的竞争，促使其他厂商加快技术研发和产能扩张。此外，台积电在高雄厂的扩产计划不仅有助于提升其产能，还将为当地创造数千个高薪就业机会，推动地方经济发展。这种双赢的局面将为台积电和当地政府带来更多的合作机会。

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企业动态（04月02日）

英伟达芯片或遭限，股价暴跌

4月2日，英伟达（Nvidia）股价在盘后交易中大幅下跌，主要原因是市场对其芯片出口限制的担忧加剧。此外，美国总统特朗普宣布对半导体供应链实施广泛的互惠关税，进一步加剧了市场对英伟达业务的担忧。

据《华尔街日报》报道，特朗普政府计划收紧芯片出口规则，以应对英伟达AI芯片通过第三方经销商违规进入中国市场的问题。这一政策可能导致英伟达在中国市场的收入损失高达40亿至60亿美元。特朗普政府宣布对来自中国和台湾的进口产品分别征收34%和32%的互惠关税。由于台湾和中国是英伟达GPU的主要出口地，这些关税可能会使使用英伟达GPU的服务器采购成本上升，从而抑制对AI芯片的需求。

市场对美国经济的担忧以及特朗普关税政策的不确定性，也导致了投资者风险偏好的下降，进而影响了英伟达的股价。英伟达股价在4月2日盘后交易中下跌了4.7%；其他芯片股也受到牵连，如AMD下跌4.5%，博通下跌5.2%，美光下跌6.4%；台积电（TSMC）作为英伟达的主要代工制造商，股价也下跌了4.8%。

点评：英伟达股价的暴跌反映了市场对其芯片出口限制和宏观经济不确定性的担忧。尽管英伟达在AI芯片市场占据领先地位，但出口限制和关税政策的不确定性对其业务构成了重大挑战。美国政府的贸易政策不仅影响了英伟达的市场表现，还对整个半导体供应链产生了连锁反应。

从长期来看，英伟达在AI领域的技术优势和市场地位仍然稳固，但短期内其股价可能会继续受到宏观经济和政策因素的波动影响。此外，随着中国和其他国家在半导体技术上的进步，英伟达可能面临更激烈的市场竞争。英伟达需要在应对出口限制和关税政策的同时，继续加强技术创新和市场拓展，以巩固其在AI芯片市场的领先地位。

04

市场动态（04月02日）

美国或暂停芯片补贴，裁员80%

4月2日，据多家媒体报道，美国商务部芯片计划办公室（CPO）因特朗普政府对《芯片与科学法案》的政策调整，已裁减约80%的员工。该办公室成立于2022年，主要负责监管半导体补贴的分配和项目推进。此次裁员涉及约120名员工，仅保留22名试用期员工。

特朗普总统曾多次表示要废除《芯片与科学法案》，认为该法案的补贴政策效率低下，主张通过关税替代补贴来吸引制造业回流。特朗普政府还计划重新谈判已签署的补贴协议，取消拜登政府附加的工会劳工、托儿服务等条件。特朗普政府正在审查《芯片与科学法案》授权的项目，可能推迟部分拨款。商务部长鲁特尼克考虑暂停发放芯片法案承诺的补助金，转而扩大法案中25%的税收抵免。然而，扩大税收抵免仍需国会批准。

多家企业对补贴计划的不确定性表示担忧。例如，三星电子和SK海力士的补贴计划可能被搁置。三星曾获准47.45亿美元补贴，但尚未收到款项。受政策调整影响，相关企业股价出现波动。例如，台积电、英特尔等公司的股价在消息传出后下跌。

业界对特朗普政府的关税政策看法不一。一方面，格罗方德CEO支持“双管齐下”的策略，认为这将增强美国芯片制造商的竞争力；另一方面，经济专家警告称，关税可能导致半导体价格上涨，损害消费者利益。

点评：美国商务部芯片计划办公室的大规模裁员和补贴政策的调整，反映了特朗普政府对《芯片与科学法案》的强烈反对和政策转向。这一举措不仅引发了业界对补贴计划不确定性的担忧，还可能导致部分企业投资计划的延迟或调整。

从短期来看，特朗普政府希望通过关税政策推动制造业回流，增强美国芯片产业的竞争力。然而，从长期来看，这种政策调整可能带来诸多风险：1. 企业投资信心受挫：补贴政策的不确定性可能导致企业在美投资计划的延迟或搁置，影响美国芯片产业的发展速度；2. 全球供应链冲击：美国的关税政策可能引发全球贸易摩擦，进一步冲击全球半导体供应链；3. 技术领先地位受损：如果补贴计划被大幅削减或废除，美国在半导体领域的技术领先地位可能受到挑战。

此外，特朗普政府的政策调整还可能影响美国与韩国等盟友的关系。韩国企业对补贴计划的不确定性表示担忧，未来可能重新评估在美国的投资计划。

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国内（03月31日）

首度亮相！核心元器件国产化率100%

在近日举办的2025年中关村论坛年会上，龙芯3C6000/D 2U双路服务器首度亮相。它采用了两颗新一代龙芯3C6000/D处理器，基于龙芯中科自研的龙架构指令集，单颗32核心，双路配备共计多达64个物理核心，并支持多线程技术，可提供128个逻辑核心，搭载龙芯7A2000独显桥片。这台服务器的核心元器件国产化率达到100％，可满足通用计算、大型数据中心、云计算中心的计算需求。

龙芯3C6000系列原计划去年第四季度发布，不过目前仍处于样片阶段，预计今年第二季度完成产品化并正式发布。它基于和大家熟悉的龙芯3A6000相同的LA664架构内核，单硅片最多16核心32线程，支持双路、四路、八路直连，也就是单系统最多可以做到128核心256线程。

通过龙链互连技术(Loongson Coherent Link)，可以实现片间互联，并成倍降低片间的访问延迟，双硅片可整合封装为龙芯32核心64线程，四硅片可整合封装为龙芯64核心128线程。根据龙芯内部自测的结果，16核32线程的3C6000/S性能可对标至强4314(10nm/16核心32线程/2.4-3.4GHz/24MB/135W)，双硅片封装的32核64线程的3D6000（3C6000/D）可对标至强6338(32核心64线程/2.0-3.2GHz/48MB/205W)。

据了解，龙芯3A6000、龙芯3C6000、龙芯3B6000、龙芯3A5000（DA版）、龙芯3C5000、龙芯3D5000等6款电脑和服务器芯片，已经入围《安全可靠测评结果公告》Ⅱ级认证，龙芯以40％占比成为入选最多的芯片企业。

06

国内（04月01日）

打破海外垄断，青禾晶元：引领半导体键合新纪元

在半导体行业面临“后摩尔时代”发展瓶颈的当下，键合集成技术正以颠覆性创新的姿态，推动着全球半导体产业格局的深刻变革。作为国内领先的半导体键合集成技术企业，青禾晶元在2025年4月1日举办的“领航键合未来，智创产业新局”线下技术革新分享会上，展示了其在高端键合装备领域的最新突破。

青禾晶元通过自主创新，攻克了室温键合、3D异构集成等“卡脖子”工艺技术，打造了四大核心装备，覆盖先进封装、晶圆级材料集成等前沿领域。2024年全年订单超30台，显示出其在市场上的强劲竞争力。

核心竞争力与技术突破

青禾晶元的核心竞争力体现在三个关键维度：1. 拥有200余项授权专利，混合键合精度优于100nm，常温键合、热压键合等模块化设计能够满足多元化需求。2. 与进口设备相比，青禾晶元的产品具备显著的价格优势，交付周期缩短至6-8个月，并提供全天候响应服务。3. 携手产业链伙伴协同创新，与顶尖高校共育专业人才，为行业持续注入新鲜血液

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国内（04月03日）

二维半导体，复旦团队里程碑式突破

在硅基芯片制造领域，伴随着晶体管尺寸的持续微缩，工艺制程和器件结构日趋复杂，摩尔定律正逐渐接近其物理极限，而具有原子层厚度的二维半导体，被视为突破这一瓶颈的关键。经国际学术界与产业界十余年的不懈探索，二维半导体的晶圆级材料生长取得突破，高性能器件单元也成功研制。在将这些微小的“原子级精密元件”组装成完整集成电路系统的过程中，加工精度与规模均匀性的协同控制难题，严重制约了系统良率的提升。这一技术瓶颈导致全球集成电路的最高集成度记录长期停滞在一百多晶体管量级，始终未能突破工程化应用的最低技术门槛。

历经五年艰苦的技术攻关与迭代，复旦大学、绍芯实验室周鹏/包文中团队传来振奋人心的消息：成功研制出全球首款基于二维半导体材料的32位RISC-V架构微处理器——“无极（WUJI）”。“无极”微处理器基于单层二硫化钼（MoS₂）二维半导体材料打造，不依赖于先进的EUV光刻机，借助自主研发的特色集成工艺，依托开源简化指令集计算架构（RISC-V），在国际上创造了二维芯片的最大工程性规模验证纪录，总共集成了约6000个晶体管，实现了从材料、架构、流片的全链条自主研发。团队成功攻克了“金属接触-栅介质-后道工艺”的精确耦合调控难题，运用原子级精度的加工和表征技术，对规模化数字电路进行了验证，其中，反相器良率高达99.77%，具备单级高增益和关态超低漏电等卓越性能。经严格的自动化测试设备测试，在1kHz时钟频率下，千门级电路可串行实现37种32位RISC-V指令，完全满足32位RISC-V整型指令集（RV32I）要求。其集成工艺优化程度和规模化电路验证结果，均达到国际同期最优水平。